4991 F-環宇 通訊半導體 Global Communication Semiconductors, GCS

年度       每股盈餘 EPS 

2012        0.23

2011        1.97

公司簡介(Company Profile)：

1997年成立於美國加利福尼亞州，環宇通訊半導體有限責任公司，是經過ISO認證的全球首要提供（III-V族）化合物半導體（砷化鎵、磷化銦、氮化鎵）純專業晶圓製造服務，以製造技術領先，高性能、高品質的半導體元件的廠商。所製造的組合產品包括用於無線通訊市場的射頻積體電路（RFIC）和毫米波積體電路，用於功率電子市場的功率元件，和用於光纖通光纖信訊的光電探測器和激光器。

除了提供晶圓製造服務外，GCS也開發、生產及銷售自己的專有光晶圓和晶片（"GCS Known Good Die"™)，包括GaAs及InGaAs探測器晶片與探測器陣列晶片、雪崩光電二極管（APD） 晶片，以及垂直腔表面發射激光器（VCSEL）晶片與晶片陣列。

公司沿革(History)：

1997年8月	GCS USA於美國加州托倫市成立及設廠
1998年12月	成功開發InGaP HBT技術
1999年7月	獲美國IDM大廠簽訂InGaP HBT技術轉移合約
1999年8月	獲日商Compound Semiconductor代工合約
1999年10月	ISO 9001-2000 認證通過
2000年5月	成功開發砷化鎵（GaAs）PIN 光探測器（Photodiode）
2000年6月	獲美商Celeritek PHEMT 手機功率放大器量產合約
2001年4月	成功開發高壓InGaP HBT 技術
2001年8月	成功開發磷化銦HBT技術
2001年12月	成功開發InGaAs PIN 光探測器（Photodiode）
2002年1月	獲日商WCDMA 手機功率放大器認證成功
2003年4月	開始量產無線射頻0.5 微米PHEMT Switch（開關）
2003年7月	開始提供光電元件晶圓代工業務
2004年3月	成功地開發世界最快速磷化銦HBT技術（Ft > 300 GHz），適用於光通訊40-100G Trans-impedance Amplifier（TIA）和高速測試儀器IC
2004年6月	獲美國IDM大廠GSM手機功率放大器認證成功
2005年6月	聘請Mr. Jerry Curtis為總經理及執行長
2006年1月	獲美商IDM廠 WJ Communication多樣砷化鎵技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約
2006年10月	獲得美商IDM廠光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工
2006年12月	獲加拿大光電元件商光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約
2007年1月	成功轉移WJ Communication多樣砷化鎵技術和產品
2007年6月	轉移砷化鎵無線射頻技術和客戶產品至宏捷半導體公司
2007年7月	開始量產WJ Communication多樣產品
2008年3月	獲日商光電技術和產品轉移合約，並簽訂長期晶圓代工合約
2008年6月	開始美國氮化鎵（GaN）廠商代工業務
2008年7月	簽訂APD開發合約
2008年8月	開始砷化鎵聚光型太陽能電池晶圓代工業務
2009年10月	獲美國IDM廠射頻功率（RF Power）氮化鎵（GaN）技術和產品轉移計畫，並簽訂長期晶圓代工合約
2010年11月	獲世界級矽晶圓代工廠簽訂多項砷化鎵（InGaP HBT and PHEMT）技術轉移合約
2010年11月	集團控股公司GCS Holdings, Inc.設立於英屬開曼群島
2010年12月	GCS Holdings, Inc.與GCS USA進行換股，集團重組完成後，GCS Holdings, Inc.之股本為新臺幣306,946仟元
2011年2月	獲得國際IDM大廠氮化鎵GaN研發計畫
2011年2月	簽訂VCSEL開發合約
2011年7月	獲美商氮化矽（SiC）高功率元件晶圓代工
2011年8月	成功轉移多項砷化鎵（InGaP HBT and PHEMT）技術至世界級矽晶圓代工廠
2011年10月	獲美商氮化鎵（GaN/Si）高功率射頻元件認證成功
2011年11月	獲美商Nitronex簽訂長期晶圓代工合約
2012年2月	獲得獲得國際IDM大廠衛星通訊電子用HBT代工訂單